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Technologies disponibles

Grâce à des partenariats avec des fournisseurs, nous offrons des services de plaquettes multiprojets et des services de fabrication connexes dans une multitude de technologies. Consultez notre horaire de fabrication en ligne.

Toutes les technologies de prototypage demeurent ouvertes pour la recherche universitaire internationale et à la R-D industrielle.
Les universitaires au Canada sont admissibles à des prix réduits avec un abonnement. Vous devez vous connecter à votre compte pour le voir.
L’éligibilité à la révision des prix est limitée à un bloc de conception ou au mm² spécifié.

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Nom du processus	Caractéristiques	Kits de conception et bibliothèques	* Tarifs (USD)	Category	Post_tag	Title
GlobalFoundries® Silicon Photonics - GF Fotonix™ (45SPCLO)	Vnom : 1V, 0,8V (ULP) Offre IO : 1,5V, 1,8V (EG) et 1,8V, 2,5V, 3,3V (ZG) Dispositifs NFET et PFET UHVT à très faible fuite Dispositifs NFET à tension nulle Isolation des tranchées peu profondes (STI) Transistors LDFET Transistor bipolaire PNP vertical Résistance de puits, NCAP/PCAP/VNCAP/APMOM, UTM30x Inducteur, ESD, eFuse Passivation et inter-niveaux de diélectriques low-k et ultralow-k Options d'emballage : Pastilles WB, soudure C4, bornes Cu Pillar	28SLPe V1.0_7.0a	Prochainement ...	Technologies Fr	GlobalFoundries, Photonique, Photonique au silicium, Photonique Featured	GlobalFoundries^® 28 SLPe
GlobalFoundries®Photonique du silicium - GF Fotonix™ (45SPCLO)	5V CMOS EDMOS 8/10/12V isolé à faible Rdson MIM/APMOM, inducteur, ESD Options d'emballage : Pastilles WB, soudure C4	55BCDlite V1.0_13.0a	Prochainement ...	Technologies Fr	GlobalFoundries, Photonique, Photonique au silicium, Photonique Featured	GlobalFoundries^® BCDLite 55 nm
GlobalFoundries® Silicon Photonics - GF Fotonix™ (45SPCLO)	Intégration monolithique de la RF, de l'analogique et du SiPh (technologie CMOS SOI 45 nm) Image lithographique minimale de 40 nm (grille uniquement) Tensions du noyau : 0,9V, 1V Intégration de l'IMA couplée au groupe de travail sur la SOI Piles de métallisation BEOL - 9 niveaux Intégration de la rainure en V de Far-BEOL pour la fixation des fibres Bibliothèque d'éléments photoniques Bibliothèque d'éléments électroniques	45SPCLO_v1.0_1.0a, comprend : Bibliothèque d'éléments photoniques (séparateur de polarisation & ; rotateur, modulateurs, détecteurs, déphaseur, WGs, coupleur de bord, coupleur de réseau, etc.) Bibliothèque d'éléments électroniques (FET, résistances de précision, condensateurs, inductances, photodiodes, ESD, etc.)	161 476 $ (par modèle de 2 455 mm x 5 mm) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 256 360 $ (par motif de 5 mm x 5 mm)	Technologies Fr	GlobalFoundries, Photonique, Photonique au silicium, Photonique Featured	GlobalFoundries^MD Silicon Photonics - GF Fotonix™ (45SPCLO)
	D'autres technologies GlobalFoundries sont disponibles. Veuillez contacter fab@cmc.ca si une technologie vous intéresse et si vous souhaitez obtenir un devis.		Contactez fab@cmc.ca.	Technologies Fr	GlobalFoundries, Photonique	GlobalFoundries^® Technologies - Autres disponibles
VTT Aluminum Junction Process	Résonateurs en Nb avec un facteur Q d'environ un million Joints en aluminium		30 000 $ (per 5 x 5 mm² design)	Technologies Fr	l'industrie, Quantique Featured, VTT	Processus de jonction aluminium VTT
Processus de jonction SWAPS en niobium de VTT	Triple couche pour jonction et couche métallique supplémentaire		Communiquez avec fab@cmc.ca.	Technologies Fr	l'industrie, Quantique Featured, VTT, VTT	Processus de jonction SWAPS en niobium de VTT
Procédé de fabrication au nitrure de silicium (SiN) d’Applied Nanotools (ANT)	SiN, 400 nm sur une couche d’oxyde enfoui (BOX) de 4,5 µm Système de lithographie par faisceau électronique de 100 keV pour guides d’ondes Niveau métallique pour l’acheminement et le chauffeur de métal	Trousse de conception : Siemens L-Edit Photonics pour procédé de fabrication sur nitrure de silicium (SiN) d’Applied Nanotools (ANT)	Communiquez avec fab@cmc.ca.	Technologies Fr	l'industrie, Photonique, Photonique Featured	Procédé de fabrication au nitrure de silicium (SiN) d’Applied Nanotools (ANT)
Processus de fabrication NanoSOI d’Applied Nanotools (ANT)	Silicium sur isolant, couche de Si supérieure de 220 nm, BOX de 2 000 nm Système de lithographie par faisceau électronique de 100 keV pour guides d’ondes Niveau métallique pour l’acheminement et le chauffeur de métal Des options d’inclusion d’implants pour modulateurs optiques seront proposées ultérieurement Remarque : Chaque accès individuel à la technologie exige de lire et de signer une entente de confidentialité propre à la technologie. Si cela n’est pas encore fait, communiquez avec Dr. Susan Xu à ce sujet dès que possible.	Trousse de conception : Mentor Graphics L-Edit Photonics pour procédé de fabrication de photonique sur silicium d’Applied Nanotools	Communiquez avec fab@cmc.ca.	Technologies Fr	l'industrie, Photonique, Photonique Featured	Processus de fabrication NanoSOI d’Applied Nanotools (ANT)
Technologie de procédés CMOS de 0,35 µm de TSMC	3.3 V/5 V 2P4M	Trousse de conception : CMOS de 0,35 microns CMOSP35 de TSMC Trousse de conception : Procédé de CMOS de 0,35 µm de TSMC Trousse de méthodologie de conception : Flux de conception de Cadence (Analogique / Signaux mixtes) (ASM) Flux de conception : conception de circuits intégrés numériques (du CMR)	540 $ / mm² (Le prix minimum est pour un motif de 25 mm²)	Technologies Fr	microelectronics fr, TSMC	Technologie de procédés CMOS de 0,35 µm de TSMC
Plateforme de capteur électronique	Transistors à effet de champ (TEC) à jonction en silicium avec grille non passivée, ce qui permet le dépôt de matériau de capteur par l’utilisateur Couche d’acheminement métallique, avec substrat de silicium Jusqu’à dix copies par conception (10 mm x 10 mm).  Sous la forme de dés nus ou de pièces mises en boîtier La subdivision en matrices de 5 x 5 mm² est disponible moyennant un coût supplémentaire.	Trousse de conception : Plateforme de capteur électronique dans L-Edit et Synopsys Sentaurus	2 000 $ (par motif de 5 mm x 5 mm) 4 130 $ (par modèle de 10 mm x 10 mm)	Technologies Fr	3IT, Emerging, Expérimental, MNI, MNI Featured	Plateforme de capteur électronique
GLOBALFOUNDRIES 90 nm CMOS-photonics 9WG	Substrat de SOI Structure gravée en V à BEOL éloignée pour fixation de fibre 1P7M LVT	SiPH de 90 nm – 9WG comprend : bibliothèque d’éléments photoniques bibliothèque d’éléments électroniques plage de connexion	Séries de fabrication dédiées exclusivement. Communiquez avec fab@cmc.ca.	Technologies Fr	GlobalFoundries, Photonique, Photonique au silicium, Photonique Featured	Photonique sur silicium 9WG de GlobalFoundries^®
Technologie de procédé Poly MEMS multi-utilisateur de Science Foundry	MEMS de surface Trois couches de structure	Trousse de conception : Procédé Poly MEMS de MEMSPro V7.0 Trousse de conception : Manuel de conception Poly MEMS pour MEMSPro Trousse de conception : Procédé Poly MEMS pour CoventorWare	1 740 $ (par dessin de 4,75 mm x 4,75 mm) 6 961 $ / mm² (par modèle de 10 mm x 10 mm)	Technologies Fr	l'industrie, MEMS, MNI Featured, Science Foundry	Technologie de procédé Poly MEMS multi-utilisateur de Science Foundry
GlobalFoundries 90 nm BiCMOS SiGe 9HP	1.2 V/1.8 V/2.5 V/3.3 V Procédé 1P10M. FET natifs/HVT. Valeurs ft / fmax 310/370GHz. Technologie de CMOS Well double ou triple (NFET dans un pwell isolé). Condensateurs MIM à facteur Q élevé / double / MIM. Inductances spirales en série / parallèle. Diode à barrière de Schottky / PIN.	90HPSIGE-9HP V1.3_0.0	10 140 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 1 mm²) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 7 051 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 12 mm²)	Technologies Fr	GlobalFoundries, l'industrie, microelectronics fr	BiCMOS au SiGe 9HP de 90 nm de GlobalFoundries^®
GlobalFoundries 45 nm RFSOI	1 V/1.5 V/1.8 V Procédé 1P8M  FET natifs / HVT / SVT / UVT  Résistor à base de siliciure N+  Condensateur naturel vertical  Inducteurs BEOL Varactor à oxyde mince  Valeurs ft / fmax 290/410 GHz	45RFSOI-RF V1.2_0.2	12 486 $ / mm² (Le prix minimum est pour un motif de 1 mm²) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 10 166 $ / mm² (Le prix minimum est pour un motif de 12 mm²)	Technologies Fr	GlobalFoundries, microelectronics fr	RFSOI de 45 nm de GlobalFoundries^®
GLOBALFOUNDRIES 22FDX FDSOI 22 nm	Tension de cœur nominale de 0,4 V à 0,8 V Options d’E-S de 1,2 V, 1,5 V ou 1,8 V Quatre VT dispositifs cœurs (FBB, RBB et eLVT) BEOL de RF avec piles métalliques très épaisses Condensateur APMOM	GF22FDX-EXT	24 075 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 1 mm²) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 17 997 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 9 mm²)	Technologies Fr	GlobalFoundries, l'industrie, microelectronics fr	FDSOI 22FDX de 22 nm de GlobalFoundries^®
GLOBALFOUNDRIES SiGe 8XP BiCMOS 130 nm	Tension de base de 1,2 V ou 2,5 V. Tension d’E-S de 2,5 V ou 3,3 V. Pile de base de 5 métaux avec jusqu’à 8 niveaux de métallisation. FET amélioré à rendement élevé. Valeurs ft/fmax 250/340 GHz. MIM et MIM double. Vt régulier et options de FET avec Well triple. Inductances spirales en série / parallèle. Composants passifs d’ondes micrométriques ou millimétriques. Oxyde de grille double mince/épaisse.		6 760 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 1 mm²) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 4 700 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 12 mm²)	Technologies Fr	GlobalFoundries, l'industrie, microelectronics fr	BiCMOS au SiGe 8XP de 130 nm GlobalFoundries^®
GlobalFoundries 12 LP	Tensions logiques → Vnom : 0,8V, Vmax : 0,945V 4 TV : SLVT / LVT / RVT / HVT Offre IO : Dispositifs EG 1,2 V, 1,35 V, 1,5 V et 1,8 V Résistance de puits, résistance de précision MOL, condensateurs MIM / MIM4 / APMOM / MOS / VNCAP, ESD, eFuse, VPNP, VNPN et Diodes, Inducteurs, Ligne de transmission Diélectriques Low-K et Ultralow-K inter-niveaux Options d'emballage : Soudure C4, Bump pilier cuivre rond ou oblong, Micro pilier Bump	GF12lp0_4.0 Bibliothèque d'appareils Bibliothèque RF Bibliothèque ESD	37 050 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 1 mm²) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 29 952 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 9 mm²)	Technologies Fr	GlobalFoundries, microelectronics fr, Microélectronique Featured	GlobalFoundries® 12 LP
Plateforme MIDIS de Teledyne DALSA	L'étanchéité sous vide poussé sans piège permet des facteurs Q de résonateur > 20 000 L'emballage efficace au niveau des plaquettes minimise la taille globale de la matrice Taille caractéristique de 1,5 μm dans une membrane de 30 μm d'épaisseur Le contrôle de la hauteur du peigne permet une détection hors plan TSV permet une conception compacte prête pour le co-emballage Livre 40 copies pour chaque conception MEMS à cavité scellée Couche de structure de 30 μm Vide poussé	Trousses de conception et bibliothèques de MIDIS de Teledyne DALSA	Contactez fab@cmc.ca.	Technologies Fr	l'industrie, MEMS, Teledyne	Plateforme MIDIS de Teledyne DALSA
TProcessus de Teledyne Micralyne Micralyne MicraGEM-Si™ MEMS	Deux couches de structure épaisses SOI avec jusqu'à trois niveaux fonctionnels de l'option d'épaisseur de silicium. Cela permet des structures telles que des actionneurs à entraînement par peigne vertical. Les couches de base et supérieure de l'appareil sont connectées électriquement via l'interface de liaison, permettant le routage 3D des signaux électriques. La métallisation à l'or à faible contrainte à motifs sur la surface supérieure convient aux miroirs hautement réfléchissants et aux plages de contact pour le collage de fils d'or. Taille de conception 4 mm x 4 mm SOI MEMS Deux couches de structure Trois profondeurs de tranchées /li>	Trousse de conception : Micralyne MicraGEM-SiMD pour Tanner L-Edit Manuel de conception : Micralyne MicraGEM-SiMD (ICI-319)	Séries de fabrication dédiées exclusivement. Communiquez avec fab@cmc.ca.	Technologies Fr	MEMS, Teledyne	Processus de Teledyne Micralyne Micralyne MicraGEM-Si™ MEMS
Technologie de processus de CMOS de 28 nm de TSMC (calcul de haute performance et RF)	0.9 V (core)/1.8 V (I/O) 1P9M (1P9M_6x1z1u) Grille métallique à valeur K élevée	Cellule standard	19 806 $ / mm²	Technologies Fr	microelectronics fr, Microélectronique Featured, TSMC	Technologie de processus de CMOS de 28 nm de TSMC (calcul de haute performance et RF)
Technologie de processus CMOS GP de 0,65 µm de TSMC	1.0 V/2.5 V 1P9M mim/momcap LVT/native/HVT	Bibliothèque de conception : bibliothèque de plot de connexion de 65 µm GP de TSMC – tpbn65v Bibliothèque de conception : bibliothèques de cellules standard de 65 µm GP de TSMC – tcbn65gplus Bibliothèque de conception : bibliothèques numériques de 65 µm GP Entrées/Sorties de TSMC – tpfn65gpgv2od3 Trousse de conception : 65 µm CMOS GP – CRN65GP de TSMC	8 324 $ / mm²	Technologies Fr	microelectronics fr, TSMC	Technologie de processus CMOS GP de 0,65 µm de TSMC
Technologie de processus CMOS LP de 0,65 µm de TSMC	1.2 V/2.5 V 1P9M mim/momcap LVT/native/HVT	Design Library: TSMC 65 nm GP Bond Pad Library - tpbn65v Design Kit: TSMC 65 nm CMOS GP – CRN65LP Design Library: TSMC 65 nm LP Standard Cell Libraries – tcbn65lp Design Library: TSMC 65 nm LP IO Digital Libraries – tpdn65lpnv2 Design Library: TSMC 65nm LP IO Analog Libraries - tpan65lpnv2	8 324 $ / mm²	Technologies Fr	microelectronics fr, TSMC	Technologie de processus CMOS LP de 0,65 µm de TSMC
Technologie de processus CMOS de 0,18 µm de TSMC	1.8 V/3.3 V 1P6M mimcap LVT/native/HVT	Trousse de conception : Processus CMOS de 0,18 µm de TSMC Trousse de méthodologie de conception : Flux de conception signaux mixtes de Cadence (AMS) Bibliothèque de conception : bibliothèques de cellules standard numériques d’ARM et Entrées/Sorties CMOS de 0,18 µm de TSMC Bibliothèque de conception : bibliothèque de cellules standard CMOS de 0,18 µm de TSMC – tsmc-cl018g_sc-x_2004q3v1 Flux de conception : conception de circuits intégrés numériques (du CMR)	1 794 $ / mm² (Le prix minimum est pour un motif de 5 mm²)	Technologies Fr	microelectronics fr, TSMC	Technologie de processus CMOS de 0,18 µm de TSMC
Processus de signaux mixtes CMOS RF de 0,13 µm de TSMC	1.2 V/3.3 V 1P8M mimcap	Trousse de conception : CMOS de 0,13 µm de TSMC	2 583 $ / mm² (Le prix minimum est pour un motif de 25 mm²)	Technologies Fr	microelectronics fr, TSMC	Processus de signaux mixtes CMOS RF de 0,13 µm de TSMC
Technologie de processus Piezo MEMS de Science Foundry	SOI MEMS Couche de structure de 10 um Métal piézoélectrique	Trousse de conception : Piezo MEMS pour Coventorware Trousse de conception : Manuel de conception Piezo MEMS de Science Foundry	1 955 $ (par dessin de 4,75 mm x 4,75 mm) 7 822 $ (par modèle de 10 mm x 10 mm)	Technologies Fr	l'industrie, MEMS, Science Foundry	Technologie de processus Piezo MEMS de Science Foundry
Post-traitement de Science Foundry pour Poly MEMS	Libération de HF en option et séchage au dioxyde de carbone supercritique. Permet aux utilisateurs de développer l'acoustique, les capteurs de mouvement, les MEMS optiques, etc.	Trousse de conception : Procédé Poly MEMS MEMS de MEMSPro V7.0 Trousse de conception : Manuel de conception Poly MEMS pour MEMSPro.	825 $ (par dessin de 4,75 mm x 4,75 mm) 3 301 $ / mm² (par modèle de 10 mm x 10 mm)	Technologies Fr	MEMS, MNI Featured, Science Foundry	Post-traitement de Science Foundry pour Poly MEMS
Compound Semiconductor Epitaxy	Épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) MBE à source de gaz Dépôt de vapeurs chimiques de métal organique (MMOCVD)	Voir le formulaire Opto Epitaxy	Communiquez avec fab@cmc.ca.	Technologies Fr	Photonique	Épitaxie à semi-conducteur composé
Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (à haute tension)	3.3 V/5 V/50 V La trousse 2P4MH35B4D3 comprend : Cellule standard E.-S. Câblage par fil	Trousse de conception : Trousse de conception de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS Méthodologie de conception : Flux de conception de circuits intégrés numériques Flux de conception : Circuits intégrés analogiques Trousse de méthodologie de conception : Flux de conception à signaux mixtes/analogiques de Cadence Flux de conception : Conception de circuits intégrés numériques (du CMR)	1 372 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 10 mm²)	Technologies Fr	AMS, l'industrie, microelectronics fr, Microélectronique Featured	Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (à haute tension)
Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (de base)	3,3 V/ 5 V 2P4M	Trousse de conception : Trousse de conception de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS Méthodologie de conception : Flux de conception de circuits intégrés numériques Flux de conception : Circuits intégrés analogiques Trousse de méthodologie de conception : Flux de conception à signaux mixtes/analogiques de Cadence Flux de conception : Conception de circuits intégrés numériques (du CMR)	998 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 10 mm²)	Technologies Fr	AMS, l'industrie, microelectronics fr	Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (de base)
Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (Opto)	3,3 V / 5 V 2P4M Revêtement antireflet	Trousse de conception : Trousse de conception de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS Méthodologie de conception : Flux de conception de circuits intégrés numériques Flux de conception : Circuits intégrés analogiques Trousse de méthodologie de conception : Flux de conception à signaux mixtes/analogiques de Cadence Flux de conception : Conception de circuits intégrés numériques (du CMR)	1 247 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 20 mm²)	Technologies Fr	AMS, l'industrie, microelectronics fr	Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (opto)
Procédés de fabrication à usage général de la photonique sur silicium de AMF	SOI, 220 nm Si supérieur, 2 000 nm BOX lithographie de 193 nm pour guides d'ondes 6 implants pour modulateurs optiques Dépôt et implantation d'empreintes génétiques pour les photodétecteurs Deux niveaux de métal pour le routage et le chauffage métallique	Trousse de conception : Mentor Graphics L-Edit Photonics pour le processus de la photonique sur silicium d’AMF (Advanced Micro Foundry) Trousse de conception : Plateforme de conception de photonique sur silicium de Luceda-Tanner-AMF Trousse de conception : Mentor Graphics Pyxis pour le processus de photonique sur silicium d’AMF	22 000 $ (par dessin de 3 mm x 8 mm)	Technologies Fr	AMF Silicon Photonics Fr, l'industrie, Photonique, Photonique Featured	Procédés de fabrication à usage général de la photonique sur silicium de AMF
STM 28 nm FD SOI CMOS	1.0 V/1.8 V 1P8M pas de mimcap LVT	Trousse de conception: STM 28 nm FD SOI CMOS – CMOS28FDSOI Trousse de conception: CMOS STM 28 nm – CMOS28LP Design Kit: STM 28 nm CMOS - CMOS28LP Méthodologie de conception: Technologie CMOS FD-SOI ST 28 nm – Conception de flux de conception analogique et conception de référence Méthodologie de conception: Flux de conception numérique / en mode mixte de la technologie CMOS FD-SOI 28 nm de STMicroelectronics	14 030 $ / mm² (Le prix minimum est pour un motif de 1,25 mm²)	Technologies Fr	microelectronics fr, Microélectronique Featured, STM	STM 28nm FD SOI CMOS