CMC soutient les services de prototypage pour développer une variété de structures sur des substrats InP, GaAs et Ge par l’intermédiaire de fonderies industrielles standard, pour la recherche et les applications en optoélectronique et en photonique. Des tarifs subventionnés sont disponibles pour les abonnés CMC.
Méthodes d’épitaxie
- Épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) sur les substrats GaAs et Ge
- MBE à source de gaz sur le substrat InP
- Dépôt de vapeurs chimiques de métal organique (MMOCVD) sur les substrats InP, GaAs et Ge
Structures épitaxiales typiques
- Lasers à puits quantiques multiples (MQW)
- Lasers à points quantiques
- Lasers à émission de surface à cavité verticale (VCSEL)
- Modulateurs d’électro-absorption (EAM)
- Photo-détecteurs
- Cellules solaires
- Dispositifs optiques non linéaires
Fonderies typiques
- Centre canadien de fabrication de dispositifs photoniques (CCFDP), Canada
- FBH, Allemagne
- Landmark Optoelectronics, Taiwan
- Azastra Optoelectronic, Canada
Les alliages disponibles, les spécifications des plaquettes, les métrologies et les tarifs varient selon les fonderies. Veuillez contacter zhang@cmc.ca pour de plus amples renseignements.