L’éventail de produits offerts par la fonderie GLOBALFOUNDRIES® (GF) en matière de photonique sur silicium (SiPh) vise à optimiser la quantité de données, la rapidité et l’efficacité, comparativement aux technologies à CMOS traditionnelles. 9WG est la première solution de fonderie SiPh de l’industrie. Reposant sur une plateforme de SOI de 90 nm, l’offre permet de tirer parti d’une fabrication à volume élevé,de même que des contrôles et des traitements avancés qui utilisent une infrastructure et des méthodologies de fabrication de CMOS éprouvées.
CMC Microsystèmes propose l’accès aux technologies de GLOBALFOUNDRIES par l’intermédiaire de ses séries de fabrication de tranches multiprojets avec partage des coûts.
Aperçu du procédé
- Intégration monolithique d’une bibliothèque de CMOS avec SOI de 90 nm comportant une vaste bibliothèque de dispositifs photoniques
- Substrat SOI de départ : BOX de 2 µm, SOI de 170 nm pour CMOS et dispositifs photoniques
- Intégration EPI au Ge couplée dans WG SOI
- 48 niveaux de masque. 40 niveaux de masque avec option hybride (photonique seulement)
- 7 niveaux de BEOL. 6 Cu, 1 Al.
- Intégration à structure gravée en V à BEOL éloignée pour fixation de fibre
Applications
- L’éventail de produits de SiPh de GF est optimisé pour hisser les télécommunications optiques à un niveau supérieur dans un ensemble d’applications en évolution et émergentes :
- Connexions au réseau et aux cellules 5G (longueur d’onde de 1 310/1 550 nm)
- Courte portée à l’intérieur d’un centre de données (longueur d’onde de 1 310 nm)
- Interconnexion de centre de données (longueur d’onde de 1 550 nm)
- Interconnexion puce à puce (longueur d’onde de 1 310 nm)
- Télécommunications dans une région métropolitaine (longueur d’onde de 1 550 nm)
- Télécommunications sur une longue distance (longueur d’onde de 1 550 nm)
- Domaine automobile (longueur d’onde de 1 310 nm)